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[应用教程] RT809官方教程——2018迅维技术交流会--季春老师现场解读存储器(三)

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发表于 2018-1-18 09:56:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 shirleyhuang 于 2018-1-18 10:24 编辑


Flash Memory (Flash erase EEPROM):
Flash属于广义的EEPROM,因为它也是电擦除的rom。与EEPROM不同,Flash擦除时不再以字节为单位,而是以Block块或Page页为单位,速度更快,所以被称为Flash erase EEPROM 。
任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。一般自带数据缓冲buffer。

Flash有Nor Flash和Nand Flash两种。
Flash存储单元由EEPROM过渡而来,核心依旧使用浮栅,但省去了一个控制管。Nor和Nand两种flash的存储单元排列形式不同,如下图:


NOR技术Flash Memory结构,每两个单元共用一个位线接触孔和一条源线,采用CHE(沟道热电子)的写入和源极F—N擦除,具有高编程速度和高读取速度的优点。但其编程功耗过大,在阵列布局上,接触孔占用了相当的空间,集成度不高。


NAND结构通过多位的直接串联,将每个单元的接触孔减小到1/2 n(n为每个模块中的位数,一般为8位或1 6位),因此,大大缩小了单元尺寸。NAND采用编F—N写,沟道擦除,其最大缺点是多管串联,读取速读较其他阵列结构慢。



Flash存储结构:


NAND Flash 存储结构:


Flash存储阵列的组成:page>block>plane>device

Nor Flash与Nand Flash 比较:

性能:
NOR的读速度比NAND稍快一些;
NAND的写入速度和擦除速度比NOR快很多;
NOR可以直接使用,并可在上面直接运行代码;
NAND一般不能直接运行程序,需要先拷贝到RAM区,再运行;
NOR可以按字节来操作;
NAND只能以页或者块为单位操作.

接口:
NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。

容量成本:
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,容量密度较高,成本较低;

用途:
NOR主要应用在代码存储介质,方便直接运行代码,如BIOS。
NAND适合存储大容量数据。

3D NAND:
容量更大、速度更快、价格更便宜、可靠性更高
中国企业在此领域也发展迅猛,紫光集团控股的长江存储已经生产出32层64GB的3D NAND。


eMMC:Embedded MultiMedia Card


由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、东芝(Toshiba)或海力士(Hynix)、镁光(Micron)等,当手机、电视客户在导入时,都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计,过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。

eMMC(Embedded MultiMedia Card )为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格,主要是针对手机产品为主;eMMC结构由一个嵌入式存储解决方案组成,带有MMC(多媒体卡)接口、快闪存储器设备及主控制器——所有在一个小型的BGA封装。


eMMC内部结构:

eMMC=NAND falsh+控制器+标准接口(遵循eMMC协议)

EMMC对外接口有:
VCC:供电;
VCCQ:控制器核心供电;
Reset:复位,内部复位和外部复位;
VDDi:内部核心控制逻辑;
CLK:时钟;
CMD:指令;
DATA0-DATA7:8位数据通讯线。

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发表于 2018-1-18 12:36:49 | 显示全部楼层
请教老师,EMMC连线点位中CMD CLK容易理解。但不知D0是否是I/O口的DATA0脚,如果是,为什么不是DATA1....或者DATA7 ?和寄存器的设置有关吗?谢谢。
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发表于 2018-1-18 22:38:46 | 显示全部楼层
Thank you very much for your teaching.
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发表于 2018-2-7 08:12:44 | 显示全部楼层
Obrigado por compartilhar.
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发表于 2018-2-12 15:05:17 | 显示全部楼层
Thank you for your lesson !
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发表于 2018-2-18 20:18:36 | 显示全部楼层
Muchas Gracias - tutorial muy claro
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发表于 2018-3-28 10:49:48 | 显示全部楼层
学习啦  谢谢
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